Go directly to content
Go directly to font size and contrast
Servicenavigation
DFG Homepage
Disclaimer / Copyright
|
Help
|
Data Monitor
English
Hauptnavigation
Search
Catalogue
People Index
Location Index
About GEPRIS
Project Details
Back
Institution
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
Fakultät für Elektrotechnik und Informatik
Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Address
Schneiderberg 32
30167 Hannover
Deutschland
GERiT
This institution in GERiT
30167 Hannover
Projects
Research Grants
Current projects
Electrically controlled processes on semiconductor-gas interfaces for power to fuel technologies
(Applicants
Doll, Theodor
;
Körner, Julia
)
Completed projects
Einsatz der Surfactant- Modifizierten-Epitaxie zur Herstellung neuartiger Ge/Si Heterostruktur-Bauelemente
(Applicant
Hofmann, Karl R.
)
Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf der Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des Siliziums
(Applicant
Fissel, Andreas
)
Germanium-MOSFETs mit Gatedielektrikum hoher Dielektrizitätskonstante auf Siliziumsubstraten
(Applicant
Hofmann, Karl R.
)
Herstellung und Untersuchung epitaktischer Metall-Isolator Resonant-Tunneling-Bauelemente für die Silizium-Nanoelektronik
(Applicant
Wollschläger, Joachim
)
Herstellung und Untersuchung epitaktischer Metall-Isolator Resonant-Tunneling-Bauelemente für die Silizium-Nanoelektronik
(Applicant
Hofmann, Karl R.
)
Herstellung und Untersuchung epitaktischer Metall-Isolator Resonant-Tunnerling-Bauelemente für die Silizium-Nanoelektronik
(Applicant
Vogl, Peter
)
Impact of structural modifications on dielectric properties of epitaxial rare-earth oxides on silicon
(Applicant
Osten, H. Jörg
)
Investigations of the electronic and electrical properties of Si twinning-superlattices in Si-based semiconductor structures on step-free Si(111)-mesas
(Applicant
Fissel, Andreas
)
Neue Materialien für epitaktische Gate-Isolator-Strukturen auf Silizium
(Applicants
Hofmann, Karl R.
;
Pfnür, Herbert
)
Structural and electrical evaluation of the influence of carbon delta layers for defect reduction on epitaxial growth of thin, relaxed germanium layers on silicon substrates
(Applicant
Osten, H. Jörg
)
Utilization of nano-clusters in MOSFET-Gate-Insulators for the realization of non-volatile and volatile tunnel-memories
(Applicant
Hofmann, Karl R.
)
Additional Information
© 2024
DFG
Disclaimer / Copyright
/
Privacy Policy
Textvergrößerung und Kontrastanpassung
