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Professor Dr. Ignaz Eisele

Adresse Universität der Bundeswehr München
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Institut für Physik
Werner-Heisenberg-Weg 39
85579 Neubiberg

Projekte

Als Antragsteller
- abgeschlossene Projekte
  - Physikalische und chemische Eigenschaften von Bor-Oberflächenphasen auf Silizium (111) (Sachbeihilfen)
  - Untersuchung des Aktivierungs- und Diffusionsverhaltens von Bor in polykristallinen SiGe-Gate-Elektroden für MOS-Transistoren (Sachbeihilfen)
  - Vertikale MOS-Bauelemente mit Delta-Dotierprofilen (Forschungsgruppen)
  - Steigerung der Leistung von MOS-Bauelementen durch Stoßionisation (Sachbeihilfen)
Als Beteiligte Person
- abgeschlossene Projekte
  - Elektronische Eigenschaften und Diffusionsverhalten oberflächennaher Dotierschichten (Forschungsgruppen)
  - Charakterisierung von inneren Grenzflächen im Hinblick auf ultra-flache Kontakte und vergrabene Heterostrukturen (Forschungsgruppen)

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