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Institution

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Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics

Adresse 630090 Novosibirsk
Russische Föderation

630090 Novosibirsk

Projekte

Sachbeihilfen
- laufende Projekte
  - Wachstum, elektronische Struktur und ultraschnelle Elektronendynamik magnetischer topologischer Isolatoren
    (Antragsteller Höfer, Ulrich )
- abgeschlossene Projekte
  - Exziton- und Ladungsträgerdynamiken in Halbleiter-Nanostrukturen mit indirekter Bandlücke und Typ-I Bandanpassung
    (Antragsteller Yakovlev, Ph.D., Dmitri )

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