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Person

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Dr. Ines Häusler

Adresse Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM)
Fachbereich 5.1: Mikrostruktur Design und Degradation
Unter den Eichen 87
12205 Berlin

Projekte

Als Antragstellerin
- abgeschlossene Projekte
  - Zur Korrelation von Struktur und magnetischen Eigenschaften der Modifikationen von (Ga,Mn)As Clustern (Sachbeihilfen)

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