Voltage-regulated antiferromagnetic coupling in ferromagnetic/semiconductor hybrid structures based on Si and Ge

• Antragsteller: Rashid Gareev, Ph.D.
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2009 bis 2012
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 111266942

Das Ziel des hier vorgestellten Projektes ist die Reorientierung der magnetischen Ausrichtung von MgO-basierten, austauschgekoppelten magnetischen Strukturen mit Hilfe eines angelegten elektri-schen Feldes zu zeigen. Dieses Phänomen ist besonders im Bereich von spannungsgesteuerten magnetischen Datenspeichern von höchstem Interesse. Das gleichzeitige Auftreten von antiferromag-netischer Austauschkopplung und TMR (tunneling magnetoresistance) bei Raumtemperatur in magne-tischen Strukturen mit MgO Zwischenschichten könnte für eine Reorientierung der Magnetisierung auf Grund einer angelegten Spannung anstatt des üblichen magnetischen Feldes genutzt werden. Die höhere thermische Stabilität von MgO-basierten, im Vergleich zu Si-basierten, antiferromagnetisch gekoppelten Sandwichstrukturen, stellt einen Arbeitsbereich von weit über Raumtemperatur in Aus-sicht. Außerdem könnte die Veränderung der Grenzflächenmagnetisierung durch ein elektrisches Feld zu einer Änderung der magnetischen Ausrichtung und zu einer Änderung der antiferromagnetischen Kopplung bei MgO Zwischenschichten führen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen