Halbautomatischer Waferprober mit DC- und HF-Messsystem
Final Report Abstract
Gegenstand der Forschungsprojekte SparTip und ModElan (jeweils Förderung durch BMBF) sind integrierte Strukturen, Bauelemente und Schaltungen auf Wafern, die in einer Hochvolttechnologie prozessiert wurden. Die Untersuchungen umfassen einen weiten Einsatztemperaturbereich bei Spannungen bis 1500V und darüber hinaus. Die Ausrüstung bildet dabei eine wichtige Voraussetzung zur Umsetzung der Projektaufgaben und Erreichung der Forschungsziele. Bei dem Forschungsprojekt „In-Die Parametervariation“ mit Globalfoundries wurden Untersuchungen des Matchingverhaltens von 32 nm High-k Metal Gate Transistoren untersucht. Schwerpunkte der Messverfahren waren die Untersuchung von globalen Parameterstreuungen auf dem Wafer. Im Rahmen der Forschergruppe 1713 „Sensorische Mikro- und Nanosysteme“ sollen mittels modifizierten integrierten MOS-Transistoren mechanische Spannungen im Silizium detektiert werden. Zur Charakterisierung und dem Erbringen des Funktionsnachweises der Teststrukturen und integrierten Schaltungen werden statische und dynamische Messungen durchgeführt. Im BMBF geförderten Forschungsprojekt NANETT „nano system integration network of excellence“ war Hauptaufgabe der Professur die Entwicklung einer low power Verstärkerzelle mit einer Gesamtleistungsaufnahme im Nanowattbereich. Für die Umsetzung des Projektes wurden verschiedene Grundstrukturen, Einzelbauelemente und Schaltungen entwickelt und prozessiert. Für die Charakterisierung der Schaltungen auf Waferebene wurde das oben genannte Forschungsgroßgerät eingesetzt.
Publications
- Optimization of Trench Manufacturing for a new High-Voltage Semiconductor Technology. IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE), 2010 : Bari, Italy, 4 - 7 July 2010 / sponsored by the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE); IEEE Industrial Electronics Society (IES) ISBN 978-1-4244-6391-6
Fritzsch, M.; Schramm, M.; Erler, K.; Heinz, S.; Horstmann, J. T.; Eckoldt, U.; Kittler, G.; Lerner, R.; Schottmann, K.
- Single Trench Isolation for a 650 V SOI Technology with Low Mechanical Stress. 2010 IEEE International SOI Conference (SOI) : 11 - 14 Oct. 2010 ; [Catamaran Resort and Spa, San Diego, California] / [general chair: Carlos Mazure]. ISBN 978-1-4244-9130-8
Kittler, G.; Lerner, R.; Eckoldt, U.; Schottmann, K.; Fritzsch, M.; Schramm, M.; Erler, K.; Heinz, S.; Horstmann, J. T.
- A monolithic integrated MEMS in a 350 nm technology for filter monitoring applications. Internationaler Kongress für Sensoren und Messtechnik ; 16 (Nürnberg) : 2013.05.14-16 ISBN 978-3-9813484-3-9
Heinz, S.; Neubert, M.; Erler, K.; Pohle, A.; Seidel, R.; Horstmann, J.T.; Gross, C.; Gabriel, P. D.; Rönisch, A.
