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Breitstreifenlaser mit monolithisch integriertem Transversalmodenselektor in geradem Resonator

Subject Area Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Term from 2013 to 2017
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 213581904
 
Das vergangene DFG-Projekt drehte sich um einen Antimonid- Mittelinfrarot-Breitstreifen (BAL)-Halbleiterlasers mit monolithisch integriertem Transversalmodenselektor (TMS), letzterer basierend auf einem integriert-Fourier-optischen 4f-Raumfrequenzfilter-Aufbau. Der Ansatz war erfolgreich. Wegen des (um den Fourier-Transformations-Spiegel) geknickten Resonators kam es im Nah- und Fernfeld aber zu Asymmetrien. Und der geknickte Resonator war in jenem Projekt nur notwendig, um durch gezielte Bevorzugung auch höherer Transversalmoden das Konzept zu verifizieren. In dem hier beantragten Vorhaben soll die integrierte BAL/TMS-Kombination durch Verwendung eines geraden zweiteiligen Resonators mit Filmwellenleiterlinse als Fourier- Transformations-Element oder eines geraden einteiligen Resonators mit zylindrischem Fourier-Transformations-Spiegel weiterentwickelt werden, um Feldasymmetrien zu vermeiden, um die Transversalmodenselektion zu optimieren und um die Verstärkungs-Filamentation stärker zu unterdrücken. Ziel des Vorhabens sind effiziente Breitstreifen-Antimonid-Laser im Wellenlängenbereich um 2 μm (bei Verwendung von GaAsSb-Quantenpunkten auch bis hinunter zu 0,9 µm) mit wirkungsvoller Transversalmodenselektion zur Stabilisierung der transversalen Grundmode. DAs Konzept ist auf Breitstreifen-Halbleiterlaser jeglichen Materialsystems und jeglicher Wellenlänge übertragbar.
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