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Short-living excitations and relaxation processes in ion-implanted and ion beam-mixed silica-silicon systems for optoelectronic application

Subject Area Experimental Condensed Matter Physics
Term from 2012 to 2017
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 222808387
 
Final Report Year 2016

Final Report Abstract

In 17 Publikationen bis 2014 wurden die Ergebnisse der gemeinsamen Forschung zur optischen und elektronischen Modifizierung von SiO2-Schichten auf Si-Substrat mittels Ionenimplantation gezeigt. Insbesondere die Implantationen von isoelektronischen Ionen zu der Matrixkomponente Silicium Si, d. h. Ge+, Sn+, Pb+, und zu der Matrixkomponente Sauerstoff O, d. h. S, Se, zeigen erhöhte Lumineszenzausbeuten, deren Ursachen näher mit Defekt- und Valenzband-Spektroskopie untersucht wurden. Hierbei zeigt sich eine Formierung von Nanoclustern der implantierten Ionen, deren Größe nicht einige Nanometer überschreiten sollte; eben „oxygen-deficient centers“ (ODC), wie niederdimensionale Dimere, Trimere, …, d. h. mit Ausdehnungen unter 1 nm ermöglichen im eigentlich nicht lumineszierenden SiO2 die Lumineszenz. Größere (> 1 nm) Aggregate können mit Hilfe hochauflösender Elektronenmikroskopie (HRTEM, STEM und EFTEM) sichtbar gemacht werden. Hier stehen allerdings noch die neueren Aufnahmen von SiO2:Ge+-Proben mit „ion-beam mixing“ an der SiO2/Si-Interface aus. Ebenso sind die Schwerpunkte zur dualen Ionenimplantation noch nicht abgeschlossen. Mit den abschliessenden 6 Publikationen zu den Arbeiten sind die Hauptergebnisse des Verlängerungsjahres gegeben.

Publications

 
 

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