Gepulste Plasma-Epitaxie-Anlage
Final Report Abstract
Das Gerät wurde bisher ausschließlich für die Deposition von Gruppe III-Nitriden eingesetzt. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der Herstellung von GaN. Es wird untersucht, ob die gepulste Sputterepitaxie eine Alternative zu der etablierten Metallorganischen Gasphasenepitaxie bieten kann. Neben der Erzeugung von GaN liegt der Schwerpunkt auf der Herstellung von InGaN-Halbleitermaterial. Bei der Sputterepitaxie kann eine deutlich geringere Substrattemperatur gewählt und dadurch eine hohe Indiumkonzentration erreicht werden. Dieses ermöglicht die Herstellung von roten LEDs. Weiterhin konnte auch die Erzeugung von hochqualitativen AlGaN-Halbleiterschichten gezeigt werden. Dieses ermöglicht die Herstellung von elektrooptischen Bauelementen im UV-Bereich. Mit diesem Gerät konnte zum ersten Mal gezeigt werden, dass es möglich ist, Quantenstrukturen mit Plasmaepitaxie zu erzeugen. Da es sich bei dem Gerät um eine standardisierte Industrieanlage handelt, kann man diese Ergebnisse auch auf großflächige Industrieanlagen übertragen.
Publications
- Deposition of crystalline GaN and ternary compounds by Pulsed Sputter Deposition from a liquid Ga magnetron source in a UHV chamber; Eighth International Conference on Fundamentals and Industrial Applications of HIPIMS 2017, 13 June - 14 June 2017, Braunschweig, Germany
F. Steib, J. Gülink, I. Kossev, J. Ledig, T. Remmele, A. Behres, S. Fündling, M. Albrecht, S. Heicke, T. Müller, M. Straßburg, H.-J. Lugauer, H.-H. Wehmann, A. Waag
- Pulsed DC sputtering deposition of GaN and ternary nitrides for LED applications; ICNS 12 - 12th Internat. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS), July 24 - 28, 2017, Strasbourg, France (A.02.15)
F. Steib, J. Gülink, J. Ledig, T. Remmele, A. Behres, S. Fündling,M. Albrecht, M. Straßburg, H.-J. Lugauer, H.-H. Wehmann, A. Waag
