Nanodraht-Heterostruktur Bipolartransistor (NW-HBT)

• Antragsteller: Professor Dr. Nils Weimann, seit 7/2019
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2015 bis 2022
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 265982007

Innerhalb der ersten Projektphase ist der erstmalige Nachweis des Minoritätentransports durch eine III/V npn-Nanodraht HBT Kern/Hülle-Struktur mit einer Stromverstärkung β < 1 gelungen. Es besteht kurzfristig hohes Potential zur Verbesserung der bereits erzielten Ergebnisse. Aus diesem Grund sollen sich die Arbeiten in der beatragten Verlängerungsphase des Projekts gezielt auf die Untersuchung der Parameter konzentrieren, welche unmittelbar Einfluss auf die Stromverstärkung haben können. Hierbei soll die entwickelte Nanodraht-Bauelementstruktur beibehalten werden, da diese zur Realisierung nanoskaliger Ergebnisse herangezogen werden kann und mit deren Hilfe weitere Fragen bezüglich der Materialentwicklung beantwortet werden können.Die zurzeit realisierte n-InGaP/p-GaAs BE-Heterodiode weist ein noch nicht optimiertes Verhalten sowohl hinsichtlich ihrer Sperr- als auch Durchlasscharakteristik auf. Diskutiert werden u.a. eine höhere Defektdichte und die Dominanz von Oberflächen- und Kanteneffekten an benachbarten Facetten. Der hohe BE-Sperrstrom ist ein Hinweis auf einen möglichen Mechanismus, welcher auch im Flussbetrieb der Diode parasitäre Ladungsträger generiert, welche kollektorseitig nicht eingefangen werden können. Im beantragten Arbeitsprogramm sollen gezielt die Mechanismen untersucht werden, welche zur Generation parasitären Basisstroms im Transistor beitragen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Ehemaliger Antragsteller: Dr.-Ing. Artur Poloczek, bis 6/2019