Dioden auf der Basis von MBE und MOVPE Oxid-Dünnfilmen

• Antragsteller: Professor Dr. Marius Grundmann
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2014 bis 2018
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 266999219

Es sollen bipolare Dioden auf der Basis von (n-Typ) CdO mit verschiedenen p-Typ Elektroden hauptsächlich aus NiO und GaN:Mg hergestellt werden. Die Epitaxie des CdO soll auf isolierenden Substraten uns p-Typ Elektroden mittels Oxid-MBE bei CNRS-CRHEA erfolgen. Die Diodencharakteristiken und eine erstmals gefundene Hysterese sollen auf der Basis einer Typ-III Heterostruktur modelliert werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen