Theorie und Modellierung des valenzwechselbasierenden resistiven Schaltens (B08)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2015 bis 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 167917811

Im Projekt B8 zielen wir darauf ab, die atomistischen Simulationen auf Elektrodenmaterialien und die Elektroden/Oxid-Schnittstelle auszudehnen. Darüber hinaus planen wir, die Auswirkungen des Einbaus von Wasserstoff zu erfassen. Kinetische Monte-Carlo-Simulationen werden verwendet, um die Möglichkeiten zur Verbesserung der Leistungskennzahlen von ReRAM wie Zuverlässigkeit, Schaltausdauer und Ein-/Aus-Widerstandsverhältnis zu untersuchen, wobei die Ergebnisse des ab initio-Ansatzes und der genetische Algorithmus als Input verwendet werden. Diese Studie wird mit dem Drift-Diffusionsmodell in B1 verknüpft.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
• Antragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter: Professor Dr. Stefan Blügel; Professor Dr.-Ing. Christoph Jungemann; Professorin Dr. Marjana Lezaic