Atomlagenabscheidung von Germanium-Antimon-Tellurid

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte; Professor Dr. Frank T. Edelmann
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik ; Festkörper- und Oberflächenchemie, Materialsynthese
• Förderung: Förderung von 2016 bis 2019
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 288136928

Im Rahmen des vorliegenden Antrages soll ein Atomlagenabscheidungsprozess für dünne Schichten aus Germanium-Antimon-Tellurid entwickelt werden. Das ternäre Stoffsystem Germanium-Antimon-Tellurid eignet sich besonders zur Verwendung in nicht-flüchtigen Phasenwechsel-Speicherzellen der Halbleitertechnik. Ausschließlich halogenfreie metallorganische Germanium-, Antimon- und Tellurverbindungen sollen verwendet werden, um spätere Korrosionserscheinungen in Bauelementen ausschließen zu können. Abgeschiedene Schichten werden hinsichtlich ihrer Zusammensetzung, Struktur und elektrischer Eigenschaften untersucht.Darüber hinaus sollen Germanium-Antimon-Tellurid-basierte Phasenwechsel-Speicherzellen hergestellt und die Bauelemente-Strukturen hinsichtlich der Phasenübergänge amorph/kristallin, kristallin/amorph und der damit verbundenen Ohm´schen Widerstände und aufzuwendenden Energiepulse, sowie hinsichtlich der Langzeitstabilität charakterisiert werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen