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Atomic Layer Deposition of Germanium-Antimony-Telluride

Subject Area Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Solid State and Surface Chemistry, Material Synthesis
Term from 2016 to 2019
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 288136928
 
Final Report Year 2019

Final Report Abstract

Im Berichtszeitraum konnten am Lehrstuhl für Anorganische Chemie verschiedene neue Amidinat- und Guanidinat-Anionen synthetisiert und in Form ihrer Lithiumsalze isoliert werden. Dabei lag das Hauptaugenmerk auf kleinen aliphatischen Substituenten. Besonders erwähnenswert ist die erstmalige Synthese von Guanidinat-Anionen mit Aziridinyl-Substituenten. Mit Germanium konnte bereits eine Reihe vielversprechender Precursoren im 10 g-Maßstab hergestellt und dem Arbeitskreis Burte zur Verfügung gestellt werden. Beim Antimon und Tellur traten teils präparative Schwierigkeiten auf, die aber im weiteren Verlauf der Arbeiten sicherlich überwunden werden können. Im Arbeitskreis für Halbleitertechnik wurden kommerzielle und neu entwickelte Precursoren auf ihre Eignung zur Abscheidung von Germanium-Antimon-Tellurid unter ALD-Bedingungen untersucht. Dabei wurden zuerst die Systeme Ge/Te und Sb/Te getrennt betrachtet und anschließend alle drei Precusoren für die Versuche zusammen eingesetzt. Es gelang dünne Schichten von Ge/Te, Sb/Te und Ge/Sb/Te unter Verwendung halogenfreier Precursoren mittels Plasma-unterstützter Atomlagenabscheidung herzustellen. Bei Verwendung von Amino-Precursoren konnten die Schichten ohne zusätzliche Quelle Trenches mit Aspektverhältnissen bis zu 1:23 bei 230 nm Tiefe konnten konform beschichtet werden. Elektrische Widerstandsmessungen an Proben mit 1 µm Durchmesser zeigen einen Widerstandshub von mehr als 7000 Ohm bei Übergang von der amorphen zur kristallinen Phase wie auch bei Übergang von der kristallinen zur amorphen Phase.

Publications

  • Molecular Precursors for the Phase-Change Material Germanium-Antimony-Telluride, Ge2Sb2Te5 (GST). Z. Anorg. Allg. Chem. 2017, 643, 1150–1166
    N. Harmgarth, F. Zörner, P. Liebing, E. P. Burte, M. Silinskas, F. Engelhardt, F. T. Edelmann
    (See online at https://doi.org/10.1002/zaac.201700211)
  • Synthesis and Crystal Structures of the First Antimony(III) Aziridinides. Inorg. Chem. 2017, 56, 4267–4270
    N. Harmgarth, P. Liebing, F. Zörner, M. Silinskas, E. P. Burte, F. T. Edelmann
    (See online at https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.7b00523)
  • Plasma-assisted atomic layer deposition of germanium antimony tellurium compounds. J. Vac. Sci. Technol. A: Vac. Surf. Films 2018, 36, 021510
    M. Silinskas, B. Kalkofen, R. Balasubramanian, A. Batmanov, E. P. Burte, N. Harmgarth, F. Zörner, F. T. Edelmann, B. Garke, M. Lisker
    (See online at https://doi.org/10.1116/1.5003463)
  • Structural Investigation of New Lithium Amidinates and Guanidinates. Z. Anorg. Allg. Chem. 2019, 645, 440–446
    P. Liebing, N. Harmgarth, V. Lorenz, F. Zörner, L. Hilfert, S. Busse, F. T. Edelmann
    (See online at https://doi.org/10.1002/zaac.201800486)
 
 

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