Project Details
Projekt
Raman-Verstärkung in Silizium-Wellenleitern
Applicant
Professor Dr. Ernst Brinkmeyer
Subject Area
Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Term
from 2006 to 2014
Project identifier
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 15008671
Lichtemittierende Bauelemente und mit Erbium-Faserverstärkern vergleichbare Komponenten würden der integrierten Optik in Silizium, die ansonsten in fast jeder Hinsicht ein äußerst attraktives Gebiet darstellt, einen gewaltigen zusätzlichen Schub verleihen. Aufgrund der indirekten Bandstruktur sind Bemühungen der Lichterzeugung wie bei III-V-Halbleitern oder auch durch Erbium-Dotierung bisher nur wenig erfolgreich. Deutliche Fortschritte in bei der Lichterzeugung in Silizium zu erreichen, ist Ziel des vorliegenden Projektes. Es basiert auf stimulierter Ramanstreuung, einem Effekt, dessen Potential in Silizium erst im Jahre 2002 erkannt wurde. Die sich anschließende Forschungstätigkeit, vorwiegend vorangetrieben in den USA aber auch mit der Beteiligung unserer Arbeitsgruppe, hat gezeigt, welch wissenschaftlich reiches und gleichzeitig für Anwendungen zukunftsträchtiges Gebiet damit betreten wurde. Es befindet sich jedoch noch im Anfangsstadium und hat bislang erst zu einem erfolgreich demonstrierten CW-SOI-Ramanlaser geführt. Im vorliegenden Projekt sollen grundlegende theoretische Untersuchungen zum optimalen Wellenleiterdesign und zu limitierenden Effekten durchgeführt, SOI-Ramanlaser mit höherer Effizienz und mit Aussicht auf Abstimmbarkeit realisiert und die erforderlichen experimentellen Charakterisierungsaufgaben gelöst werden.
DFG Programme
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