Spintronik Devices Basierend auf Topologische Isolatoren
Zusammenfassung der Projektergebnisse
Die Oberflächenzustände von Topologischer Isolatoren (TIs) zeichnen sich dadurch aus, dass elektrische Ströme direkt eine Spinpolarisation induzieren, deren Richtung senkrecht zur Stromrichtung fixiert ist. Dies macht TIs zu einer vielversprechenden Plattform für spintronische Anwendungen. Dieses Projekt konzentriert sich auf die Herstellung und Charakterisierung spintronischer Bauelementen mit dem Ziel, spintronische Funktionen von TIs zu testen/demonstrieren. Im Förderzeitraum gelang es diesem Projekt, die Operation „Spin Transistor“ zu realisieren, um die Steuerung der strominduzierten Spins durch elektrostatisches Gating auf einem TI-Flake zu demonstrieren. Durch diesen Grundsatznachweis einer neuen Funktionalität hat dieses Projekt das Potenzial von TIs für spintronische Anwendungen erheblich erweitert.
Projektbezogene Publikationen (Auswahl)
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Opportunities in topological insulator devices. Nature Reviews Physics, 4(3), 184-193.
Breunig, Oliver & Ando, Yoichi
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Topological-Insulator Spin Transistor. Physical Review Applied, 20(2).
Dang, Linh T.; Breunig, Oliver; Wang, Zhiwei; Legg, Henry F. & Ando, Yoichi
