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Gap-Plasmon und Spitzen-verstärkte Ramanstreuung an Halbleiternanostrukturen

Fachliche Zuordnung Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2019 bis 2023
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 410250059
 
Erstellungsjahr 2025

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Ziel dieses Projekts war die Untersuchung der durch Gap-Plasmonen induzierten Verstärkung der Raman-Streuung durch Halbleiter-Nanokristalle in der Nähe von metallischen Nanostrukturen mit nanometrischer räumlicher Auflösung. Außerdem untersuchten wir lokale optische Phänomene von niedrigdimensionalen Materialien, die einige neue Aspekte dieser Systeme offenbaren. Das Schlüsselkonzept dieses Projekts bestand darin, die lokalisierte Oberflächenplasmonenresonanz (LSPR) von Metallnanostrukturen zu nutzen, um Resonanzphänomene in benachbarten niedrigdimensionalen Systemen hervorzurufen und die sich daraus ergebenden Effekte durch spitzenverstärkte Raman-Streuung (TERS) und oberflächenverstärkte Raman-Streuung (SERS) zu untersuchen. Halbleitende Nanokristalle oder Quantenpunkte (QDs), die aus CdSe und CdS mit unterschiedlichen Größen bestehen, waren die wichtigsten Modellsysteme, die in diesem Projekt untersucht wurden. Sie wurden mit Hilfe der Langmuir-Blodgett-Technik auf Arrays von Gold-Nanostrukturen aufgebracht. Um die plasmonischen Effekte gründlich zu verstehen, insbesondere die Auswirkungen der LSPR, haben wir numerische Simulationswerkzeuge eingesetzt. Dies half uns, unsere Experimente effizient zu gestalten. Mit diesem detaillierten Ansatz war es möglich, die lokalen Phononeigenschaften von halbleitenden Nanostrukturen mit einer räumlichen Auflösung von nur etwa 2 nm zu untersuchen. Wir untersuchten auch die oberflächenverstärkte Photolumineszenz solcher Nanostrukturen, die im Vergleich zu SERS aufgrund von nicht-strahlenden Zerfallskanälen weniger effizient ist. Über den Rahmen des ursprünglichen Projekts hinaus wurde der (nano-)spektroskopische Ansatz auf eine Reihe anderer Halbleitersysteme angewendet. Die Ergebnisse dieses Projekts zeigen einige neue Aspekte von niedrigdimensionalen Halbleitern auf, die sowohl für das grundlegende Verständnis als auch für die Entwicklung technologischer Anwendungen von Bedeutung sind.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

 
 

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