Ferroelektrisches Hafniumoxid mit erhöhter Zuverlässigkeit
Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
Zusammenfassung der Projektergebnisse
Die Zuverlässigkeit der Bauelemente ist ein kritisches Kriterium, ob die neue Klasse der Fluorit-Ferroelektrika in kommerziellen nichtflüchtigen Speichern eingesetzt werden kann oder nicht. Durch die hohe Bedeutung der Zuverlässigkeit für ferroelektrischer Bauelemente wurde im Rahmen des HOMER-Projekts eine breite Palette von Zuverlässigkeitskriterien untersucht, die entweder den Fluorit-Ferroelektrika eigen sind oder das Ergebnis von Materialund physikalischen Wechselwirkungen sind, die sich aus der Bauelementestruktur ergeben. Obwohl in den letzten Jahren allgemein gezeigt wurde, dass die Dotierung und die Verarbeitungsbedingungen die ferroelektrischen Eigenschaften von HfO2-basierten Dünnschichten beeinflussen, ergaben die Untersuchungen im Rahmen des HOMER-Projekts völlig neue Erkenntnisse, die sich von früheren Studien abheben. So zeigte sich beispielsweise bei der Einbringung unterschiedlicher Mengen von Si-Dotierstoffen in ZrO2, dass mehr Si zu einer größeren Zugbelastung in der Ebene führte, was ein antiferroelektrisches Verhalten zur Folge hatte. Darüber hinaus konnte gezeigt werden, dass die Veränderung der Ozondosis während der Atomlagenabscheidung auch in direkter Korrelation mit der Veränderung der Schichtdehnung steht, die während des Schichtwachstums hervorgerufen wird. Der Einfluss der Schichtdehnung wurde in ZrO2-Schichten über einen weiten Dickenbereich (4 - 390 nm) untersucht, wobei sich herausstellte, dass der wichtigste Indikator für das ferroelektrische Verhalten die innere Schichtdehnung ist, unabhängig von der Dicke. Diese Ergebnisse bieten einen Weg zur Optimierung der Ferroelektrizität in Fluoriten, indem sie zeigen, dass die Anpassung der Schichtdehnungen in der Ebene (z.B. durch Änderung der Prozessierung) und die Minimierung der Grenzflächenschichten zu verbesserten ferroelektrischen Eigenschaften und Zykleverhalten unter elektrischen Feld führen können. Die beiden letzten Zuverlässigkeitskriterien, die im Rahmen des HOMER-Projekts untersucht wurden, waren der Einfluss von Grenzflächenschichten und die Auswirkungen der Elektrodenmaterialien. Im Rahmen des Projekts wurde gezeigt, wie die Betriebsbedingungen so optimiert werden können, dass bei Vorhandensein von Grenzflächenschichten mehr ferroelektrische Polarisation erhalten bleibt. Darüber hinaus wurde gezeigt, dass eine bessere Datenerhaltung und Lese-/Schreibzyklen stark mit der chemischen Reaktivität und dem Sauerstoffabsorptionspotenzial der Elektrodenmaterialien in Bezug auf die HfO2- oder ZrO2-Schicht korreliert sind. Obwohl die Zusammenarbeit zwischen den deutschen und russischen Teams nach dem Einmarsch in die Ukraine abgebrochen wurde, leistete das HOMER-Projekt einen wichtigen Beitrag zum aktuellen Wissensstand über die Zuverlässigkeit ferroelektrischer Fluorit Kristalle.
Projektbezogene Publikationen (Auswahl)
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Charge transport mechanism in La:HfO2. Applied Physics Letters, 117(14).
Gritsenko, V. A. & Gismatulin, A. A.
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Impact of oxygen vacancy on the ferroelectric properties of lanthanum-doped hafnium oxide. Applied Physics Letters, 117(16).
Islamov, Damir R.; Zalyalov, Timur M.; Orlov, Oleg M.; Gritsenko, Vladimir A. & Krasnikov, Gennady Ya.
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An unexplored antipolar phase in HfO2 from first principles and implication for wake-up mechanism. Applied Physics Letters, 119(8).
Azevedo Antunes, Luis; Ganser, Richard; Alcala, Ruben; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe & Kersch, Alfred
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Bipolar conductivity in ferroelectric La:HfZrO films. Applied Physics Letters, 118(26).
Perevalov, Timofey V.; Gismatulin, Andrei A.; Gritsenko, Vladimir A.; Prosvirin, Igor' P.; Mehmood, Furqan; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
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Pyroelectric dependence of atomic layer-deposited Hf0.5Zr0.5O2 on film thickness and annealing temperature. Applied Physics Letters, 119(11).
Lomenzo, Patrick D.; Alcala, Ruben; Richter, Claudia; Li, Songrui; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
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The atomic and electronic structure of Hf0.5Zr0.5O2 and Hf0.5Zr0.5O2:La films. Journal of Science: Advanced Materials and Devices, 6(4), 595-600.
Perevalov, Timofey V.; Prosvirin, Igor P.; Suprun, Evgenii A.; Mehmood, Furqan; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe & Gritsenko, Vladimir A.
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BEOL Integrated Ferroelectric HfO₂-Based Capacitors for FeRAM: Extrapolation of Reliability Performance to Use Conditions. IEEE Journal of the Electron Devices Society, 10, 907-912.
Alcala, R.; Materano, M.; Lomenzo, P. D.; Grenouillet, L.; Francois, T.; Coignus, J.; Vaxelaire, N.; Carabasse, C.; Chevalliez, S.; Andrieu, F.; Mikolajick, T. & Schroeder, U.
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Cathodoluminescence of intrinsic defects in films La : HfZrO. Optics and Spectroscopy, 130(12), 1563.
Dementeva E.V., Zamoryanskaya M.V. & Gritsenko V.A.
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Changing the properties of Hf0.5Zr0.5O2 during cyclic repolarization of ferroelectric capacitors with different electrode materials
Zalyalov, Timur M. & Damir R. Islamov
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Influence of Si-Doping on 45 nm Thick Ferroelectric ZrO2 Films. ACS Applied Electronic Materials, 4(7), 3648-3654.
Xu, Bohan; Lomenzo, Patrick D.; Kersch, Alfred; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
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Investigating charge trapping in ferroelectric thin films through transient measurements. Frontiers in Nanotechnology, 4.
Lancaster, Suzanne; Lomenzo, Patrick D.; Engl, Moritz; Xu, Bohan; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe & Slesazeck, Stefan
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Luminescence of Hf-=SUB=-x-=/SUB=-Zr-=SUB=-1-x-=/SUB=-O-=SUB=-2-=/SUB=- thin films upon excitation with vacuum ultraviolet synchrotron radiation. Physics of the Solid State, 64(7), 818.
Pustovarov V. A., Gritsenko V. A. & Islamov D. R.
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Role of Oxygen Source on Buried Interfaces in Atomic-Layer-Deposited Ferroelectric Hafnia–Zirconia Thin Films. ACS Applied Materials & Interfaces, 14(37), 42232-42244.
Hsain, Hanan Alexandra; Lee, Younghwan; Lancaster, Suzanne; Materano, Monica; Alcala, Ruben; Xu, Bohan; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe; Parsons, Gregory N. & Jones, Jacob L.
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The Influence of the Dopant Concentration on the Ferroelectric Properties and theTrap Density in Hf0.5Zr0.5O2:La Films During Endurance Cycling. 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), 48-51. IEEE.
Zalyalov, Timur M. & Islamov, Damir R.
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Using Raman spectroscopy and x-ray diffraction for phase determination in ferroelectric mixed Hf1−xZrxO2-based layers. Journal of Applied Physics, 132(21).
Schroeder, Uwe; Sachdeva, Ridham; Lomenzo, Patrick D.; Xu, Bohan; Materano, Monica; Mikolajick, Thomas & Kersch, Alfred
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Demonstration of a Non-Volatile Antiferroelectric Pyroelectric Switch. In 2023 22nd International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers); 2023; pp 256–259
Lomenzo, P. D.; Li, S.; Mikolajick, T. & Schroeder, U.
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Discovery of Nanoscale Electric Field‐Induced Phase Transitions in ZrO2. Advanced Functional Materials, 33(41).
Lomenzo, Patrick D.; Collins, Liam; Ganser, Richard; Xu, Bohan; Guido, Roberto; Gruverman, Alexei; Kersch, Alfred; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
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Influence of the Ozone Dose Time during Atomic Layer Deposition on the Ferroelectric and Pyroelectric Properties of 45 nm-Thick ZrO2 Films. ACS Applied Electronic Materials, 5(4), 2288-2295.
Xu, Bohan; Collins, Liam; Holsgrove, Kristina M.; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe & Lomenzo, Patrick D.
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Reliability Improvement from La2O3 Interfaces in Hf0.5Zr0.5O2‐Based Ferroelectric Capacitors. Advanced Materials Interfaces, 10(8).
Mehmood, Furqan; Alcala, Ruben; Vishnumurthy, Pramoda; Xu, Bohan; Sachdeva, Ridham; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
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Roadmap on ferroelectric hafnia- and zirconia-based materials and devices. APL Materials, 11(8).
Silva, José P. B.; Alcala, Ruben; Avci, Uygar E.; Barrett, Nick; Bégon-Lours, Laura; Borg, Mattias; Byun, Seungyong; Chang, Sou-Chi; Cheong, Sang-Wook; Choe, Duk-Hyun; Coignus, Jean; Deshpande, Veeresh; Dimoulas, Athanasios; Dubourdieu, Catherine; Fina, Ignasi; Funakubo, Hiroshi; Grenouillet, Laurent; Gruverman, Alexei; Heo, Jinseong ... & Schroeder, Uwe
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Role of Defects in the Breakdown Phenomenon of Al1–xScxN: From Ferroelectric to Filamentary Resistive Switching. Nano Letters, 23(15), 7213-7220.
Guido, Roberto; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe & Lomenzo, Patrick D.
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Strain as a Global Factor in Stabilizing the Ferroelectric Properties of ZrO2. Advanced Functional Materials, 34(8).
Xu, Bohan; Lomenzo, Patrick D.; Kersch, Alfred; Schenk, Tony; Richter, Claudia; Fancher, Chris M.; Starschich, Sergej; Berg, Fenja; Reinig, Peter; Holsgrove, Kristina M.; Kiguchi, Takanori; Mikolajick, Thomas; Boettger, Ulrich & Schroeder, Uwe
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The Electrode‐Ferroelectric Interface as the Primary Constraint on Endurance and Retention in HZO‐Based Ferroelectric Capacitors. Advanced Functional Materials, 33(43).
Alcala, Ruben; Materano, Monica; Lomenzo, Patrick D.; Vishnumurthy, Pramoda; Hamouda, Wassim; Dubourdieu, Catherine; Kersch, Alfred; Barrett, Nicolas; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
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Wake-up free ferroelectric hafnia-zirconia capacitors fabricated via vacuum-maintaining atomic layer deposition. Journal of Applied Physics, 133(22).
Hsain, H. Alex; Lee, Younghwan; Lomenzo, Patrick D.; Alcala, Ruben; Xu, Bohan; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe; Parsons, Gregory N. & Jones, Jacob L.
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Impact of lanthanum doping on the electronic structure of oxygen vacancies in hafnium oxide. Computational Materials Science, 233, 112708.
Perevalov, Timofey V. & Islamov, Damir R.
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Influence of Biaxial Strain and Interfacial Layer Growth on Ferroelectric Wake-Up and Phase Transition Fields in ZrO2. ACS Applied Materials & Interfaces, 16(25), 32533-32542.
Xu, Bohan; Ganser, Richard; Holsgrove, Kristina M.; Wang, Xuetao; Vishnumurthy, Pramoda; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe; Kersch, Alfred & Lomenzo, Patrick D.
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Kinetics of N‐ to M‐Polar Switching in Ferroelectric Al1−xScxN Capacitors. Advanced Science, 11(16).
Guido, Roberto; Lu, Haidong; Lomenzo, Patrick D.; Mikolajick, Thomas; Gruverman, Alexei & Schroeder, Uwe
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Voltage Programmable Pyroelectric Sensors With ZrO₂-Based Antiferroelectrics. IEEE Sensors Journal, 24(8), 12050-12057.
Lomenzo, Patrick D.; Li, Songrui; Xu, Bohan; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
