Ferroelektrisches Zirkonoxid für piezo- und pyroelektrische Bauelemente (Zeppelin)
Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
Zusammenfassung der Projektergebnisse
Die Hauptziele des Zeppelin-Projekts bestanden darin, das theoretische und experimentelle Verständnis von Ferroelektrizität, Pyroelektrizität und Piezoelektrizität in ZrO 2 und Zr-reichen Hf1-xZrxO2 Schichten erheblich zu verbessern. Insgesamt ist ZrO2 weniger gut untersucht und verstanden als HfO2. Insbesondere die typische Eigenschaft von ZrO2, in dünnen Schichten antiferroelektrisches Verhalten zu zeigen, unterscheidet es von HfO2. Dies hat erhebliche Auswirkungen auf ferro-, piezo- und pyroelektrische Bauelemente. Im Rahmen des Projekts wurden sowohl die Ursache der Antiferroelektrizität als auch deren Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften von ZrO2-Schichten untersucht. Experimentell wurde eine Vielzahl von Schichtabscheidungstechniken wie ALD, PVD und CSD eingesetzt, um ZrO2- und Hf1-xZrxO2-Schichten zu realisieren. Das Wachstum dicker ZrO2-Schichten war bei ALD- und PVD-Prozessen durch den hohen Anteil der unerwünschten monoklinen Phase bei dickeren Schichten begrenzt, dies konnte durch eine CSD Abscheidung überwunden werden konnte. Es wurde gezeigt, dass die Prozessabhängigkeit vom Sauerstoffgehalt und der Dotierung einen erheblichen Einfluss auf die ferroelektrischen und pyroelektrischen Eigenschaften von ZrO2 Schichten hat. Piezokraftmikroskopische Messungen bestätigten das antiferroelektrische Verhalten von ZrO2, wobei Versuche die lokale piezoelektrische Reaktion von Phasenumwandlungen durch elektrische Felder zeigten. Es wurden Fortschritte beim besseren Verständnis der mechanischen Spannungs- und Dehnungsabhängigkeit der Ferroelektrizität in ZrO2-Filmen erzielt, auf die in künftigen Studien aufgebaut werden kann. Anders als bei ALD- und PVD-Abscheidungen konnten mit CSD dicke Schichten aus ferroelektrischem, undotiertem und Y-dotiertem ZrO2 mit einer Dicke von bis zu 500 nm hergestellt werden. Durch theoretische Berechnungen wurde der Polymorphismus von ZrO2 eingehend untersucht, wobei zwei bisher nicht identifizierte niederenergetische Phasen gefunden wurden. Für dotiertes ZrO2 wurde nur ein kleines Fenster für die Bevorzugung der polaren Phase gegenüber der tetragonalen Phase gefunden. Es wurde ermittelt, dass Sauerstoffatome im Zwischengitter die tetragonale Phase stark destabilisieren und die kinetische Energiebarriere verringern. Weiterhin wurde festgestellt, dass die piezoelektrischen und pyroelektrischen Konstanten sehr variabel negativ, und in der Nähe des Phasenübergangs groß und positiv sind. Insgesamt lässt sich sagen, dass das Zeppelin-Projekt einen wichtigen Beitrag zum Wissen über die ferroelektrischen, piezoelektrischen und pyroelektrischen Eigenschaften von ZrO2-basierten Filmen geleistet hat. Eine Reihe von Folgeuntersuchungen erscheint vielversprechend für ein weiteres Verständnis und die Nutzung dieser Eigenschaften für Speicher-, neuromorphe und Sensoranwendungen.
Projektbezogene Publikationen (Auswahl)
-
Influence of Oxygen Content on the Structure and Reliability of Ferroelectric HfxZr1–xO2 Layers. ACS Applied Electronic Materials, 2(11), 3618-3626.
Materano, Monica; Mittmann, Terence; Lomenzo, Patrick D.; Zhou, Chuanzhen; Jones, Jacob L.; Falkowski, Max; Kersch, Alfred; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Optimizing the Piezoelectric Strain in ZrO2- and HfO2-Based Incipient Ferroelectrics for Thin-Film Applications: An Ab Initio Dopant Screening Study. ACS Applied Materials & Interfaces, 12(29), 32915-32924.
Falkowski, Max & Kersch, Alfred
-
Universal Curie constant and pyroelectricity in doped ferroelectric HfO2 thin films. Nano Energy, 74, 104733.
Lomenzo, Patrick D.; Jachalke, Sven; Stoecker, Hartmut; Mehner, Erik; Richter, Claudia; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Ab initio interphase characteristics in HfO2 and ZrO2 and nucleation of the polar phase. Applied Physics Letters, 118(3).
Falkowski, Max & Kersch, Alfred
-
An unexplored antipolar phase in HfO2 from first principles and implication for wake-up mechanism. Applied Physics Letters, 119(8).
Azevedo, Antunes Luis; Ganser, Richard; Alcala, Ruben; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe & Kersch, Alfred
-
Interplay between oxygen defects and dopants: effect on structure and performance of HfO2-based ferroelectrics. Inorganic Chemistry Frontiers, 8(10), 2650-2672.
Materano, Monica; Lomenzo, Patrick D.; Kersch, Alfred; Park, Min Hyuk; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
New Low‐Energy Crystal Structures in ZrO2 and HfO2. physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 15(5).
Kersch, Alfred & Falkowski, Max
-
Pyroelectric dependence of atomic layer-deposited Hf0.5Zr0.5O2 on film thickness and annealing temperature. Applied Physics Letters, 119(11).
Lomenzo, Patrick D.; Alcala, Ruben; Richter, Claudia; Li, Songrui; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Stabilizing the ferroelectric phase in HfO2-based films sputtered from ceramic targets under ambient oxygen. Nanoscale, 13(2), 912-921.
Mittmann, Terence; Michailow, Michail; Lomenzo, Patrick D.; Gärtner, Jan; Falkowski, Max; Kersch, Alfred; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Characteristics of Low‐Energy Phases of Hafnia and Zirconia from Density Functional Theory Calculations. physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 16(10).
Azevedo, Antunes Luis; Ganser, Richard; Kuenneth, Christopher & Kersch, Alfred
-
Influence of Si-Doping on 45 nm Thick Ferroelectric ZrO2 Films. ACS Applied Electronic Materials, 4(7), 3648-3654.
Xu, Bohan; Lomenzo, Patrick D.; Kersch, Alfred; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Investigating charge trapping in ferroelectric thin films through transient measurements. Frontiers in Nanotechnology, 4.
Lancaster, Suzanne; Lomenzo, Patrick D.; Engl, Moritz; Xu, Bohan; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe & Slesazeck, Stefan
-
Memory Window Enhancement in Antiferroelectric RAM by Hf Doping in ZrO₂. IEEE Electron Device Letters, 43(9), 1447-1450.
Lomenzo, Patrick D.; Li, Songrui; Pintilie, Lucian; Istrate, Cosmin M.; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Piezo- and Pyroelectricity in Zirconia: A Study with Machine-Learned Force Fields. Physical Review Applied, 18(5).
Ganser, Richard; Bongarz, Simon; von Mach, Alexander; Azevedo, Antunes Luis & Kersch, Alfred
-
Simulation of XRD, Raman and IR spectrum for phase identification in doped HfO2 and ZrO2. Frontiers in Nanotechnology, 4.
Kersch, Alfred; Ganser, Richard & Trien, Maximilian
-
Temperature‐Dependent Phase Transitions in HfxZr1‐xO2 Mixed Oxides: Indications of a Proper Ferroelectric Material. Advanced Electronic Materials, 8(9).
Schroeder, Uwe; Mittmann, Terence; Materano, Monica; Lomenzo, Patrick D.; Edgington, Patrick; Lee, Young H.; Alotaibi, Meshari; West, Anthony R.; Mikolajick, Thomas; Kersch, Alfred & Jones, Jacob L.
-
Using Raman spectroscopy and x-ray diffraction for phase determination in ferroelectric mixed Hf1−xZrxO2-based layers. Journal of Applied Physics, 132(21).
Schroeder, Uwe; Sachdeva, Ridham; Lomenzo, Patrick D.; Xu, Bohan; Materano, Monica; Mikolajick, Thomas & Kersch, Alfred
-
Discovery of Nanoscale Electric Field‐Induced Phase Transitions in ZrO2. Advanced Functional Materials, 33(41).
Lomenzo, Patrick D.; Collins, Liam; Ganser, Richard; Xu, Bohan; Guido, Roberto; Gruverman, Alexei; Kersch, Alfred; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Influence of moisture on the ferroelectric properties of sputtered hafnium oxide thin films. Journal of Applied Physics, 134(18).
Berg, Fenja; Kopperberg, Nils; Lübben, Jan; Valov, Ilia; Wu, Xiaochao; Simon, Ulrich & Böttger, Ulrich
-
Influence of the Ozone Dose Time during Atomic Layer Deposition on the Ferroelectric and Pyroelectric Properties of 45 nm-Thick ZrO2 Films. ACS Applied Electronic Materials, 5(4), 2288-2295.
Xu, Bohan; Collins, Liam; Holsgrove, Kristina M.; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe & Lomenzo, Patrick D.
-
Insights Into Curie‐Temperature and Phase Formation of Ferroelectric Hf1−xZrxO2 with Oxygen Defects from a Leveled Energy Landscape. Advanced Materials Interfaces, 11(2).
Azevedo, Antunes Luis; Ganser, Richard; Schroeder, Uwe; Mikolajick, Thomas & Kersch, Alfred
-
Parameters for ferroelectric phase stabilization of sputtered undoped hafnium oxide thin films. Japanese Journal of Applied Physics, 62(1), 015507.
Berg, Fenja; Lübben, Jan & Böttger, Ulrich
-
Reduced fatigue and leakage of ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors by thin alumina interlayers at the top or bottom interface. Nanotechnology, 34(12), 125703.
Hsain, H. Alex; Lee, Younghwan; Lancaster, Suzanne; Lomenzo, Patrick D.; Xu, Bohan; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe; Parsons, Gregory N. & Jones, Jacob L.
-
Reliability Improvement from La2O3 Interfaces in Hf0.5Zr0.5O2‐Based Ferroelectric Capacitors. Advanced Materials Interfaces, 10(8).
Mehmood, Furqan; Alcala, Ruben; Vishnumurthy, Pramoda; Xu, Bohan; Sachdeva, Ridham; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Strain as a Global Factor in Stabilizing the Ferroelectric Properties of ZrO2. Advanced Functional Materials, 34(8).
Xu, Bohan; Lomenzo, Patrick D.; Kersch, Alfred; Schenk, Tony; Richter, Claudia; Fancher, Chris M.; Starschich, Sergej; Berg, Fenja; Reinig, Peter; Holsgrove, Kristina M.; Kiguchi, Takanori; Mikolajick, Thomas; Boettger, Ulrich & Schroeder, Uwe
-
The Electrode‐Ferroelectric Interface as the Primary Constraint on Endurance and Retention in HZO‐Based Ferroelectric Capacitors. Advanced Functional Materials, 33(43).
Alcala, Ruben; Materano, Monica; Lomenzo, Patrick D.; Vishnumurthy, Pramoda; Hamouda, Wassim; Dubourdieu, Catherine; Kersch, Alfred; Barrett, Nicolas; Mikolajick, Thomas & Schroeder, Uwe
-
Wake-up free ferroelectric hafnia-zirconia capacitors fabricated via vacuum-maintaining atomic layer deposition. Journal of Applied Physics, 133(22).
Hsain, H. Alex; Lee, Younghwan; Lomenzo, Patrick D.; Alcala, Ruben; Xu, Bohan; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe; Parsons, Gregory N. & Jones, Jacob L.
-
Investigation of the large-signal electromechanical behavior of ferroelectric HfO2–CeO2 thin films prepared by chemical solution deposition. Journal of Applied Physics, 135(9).
Lübben, Jan; Berg, Fenja & Böttger, Ulrich
