Aluminium Nitrid für die vertikale Leistungselektronik

Ziel des Projekts ist es, vertikale Bauelementkonzpete basierend auf Aluminium Nitrid (AlN) zu entwickeln, die eine hohe Durchbruchsspannung für die Leistungslektronik aufweisen. Mit großer Bandlücke und Durchbruchsfeldstärke ist AlN ein interessantes Basismaterial in der Leistungselektronik. Technologisch ist AlN einer der wenigen Verbundhalbleiter, dessen Kristallstruktur unter Hochtemperaturbehandlung ausheilen, ähnlich wie Silizium. Hauptzielsetzung des Projekts ist es ein vertikales AlN-Transistorkonzept zu entwickeln, und dieses mit einer Technologienetwicklung in einem Bauelement zu realisieren. Perspektivisch soll damit eine Basis für die AlN basierte Leistungselektronik gelegt werden, Demonstratorbauelemente hergestellt werden, und in einer Folgephase das Integrationspotenzial für Systeme und Schaltungen erforscht werden.

DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme

Teilprojekt zu SPP 2312:  Energieeffiziente Leistungselektronik "GaNius"

Internationaler Bezug Italien

Kooperationspartner Professor Matteo Meneghini