Untersuchung leerstellenartiger Defekte in ionenimplantiertem SiC mittels Positronenannihilationsspektroskopie (PAS)

• Antragsteller: Dr. Gerhard Brauer
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1998 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5080442

Siliziumkarbid (SiC) ist als Halbleitermaterial ein bevorzugtes Substrat für die Produktion von Hochleistungselektronik. Zur Erzeugung der entsprechenden Bauelementanordnung ist die Ionenimplantation die einzige Methode, um lateral begrenzte Oberflächenbereiche beziehungsweise vertikal begrenzte Tiefenbereiche selektiv zu dotieren. In diesem Zusammenhang wird die kontinuierliche Positronen-Strahltechnik (Slow Positron Implantation Sepctroscopy (SPIS)) dazu eingesetzt, leerstellenartige Defekte und deren Tiefenverteilung in unterschiedlich ionenimplantiertem und thermisch nachbehandeltem SiC zu charakterisieren. Dabei geht es einerseits um die für praktische Anwendungen relevante 1013-1015 cm-² und andererseits um die Herstellung von Festkörperlösungen auf SiC-Wafern, die durch Doppelimplantation von Al und N in SiC im Fluenzbereich 1016-1017 m-² erzeugt wurden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen