Generalized infrared ellipsometrie determination of crystal structure and free-carrier properties from complex group III nitride heterostructure

• Applicant: Professor Dr. Bernd Rheinländer
• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 1999 to 2004
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5170322

Gruppe III-Nitride sind Verbindungen, von denen sowohl optischisotrope als auch optisch-anisotrope Phasen bekannt sind. Bei der Dünnschicht-Abscheidung variieren in Abhängigkeit vom Technologie-Verfahren i. a. Kristall- und Mikrostruktur der Gruppe III-Nitride. Demzufolge verändern sich vor allem die infrarotoptischen Eigenschaften. Bei Dotierung einer Schicht beeinflussen darüber hinaus die freien Ladungsträger über die Plasmon-Phonon-Kopplung die anisotrope dielektrische Funktion erheblich. Unser Vorhaben innerhalb des Schwerpunktprogramms dient dem Ziel: 1. erstmalig mittels Verallgemeinerter Infrarot-Ellipsometrie über die optisch-dielektrischen Eigenschaften die Kristallstruktur und im Falle der Dotierung die Konzentration und Beweglichkeit freier Ladungsträger der einzelnen Schichten in Gruppe III-Nitrid-Dünnschicht-Heterostrukturen zu bestimmen; 2. dafür diejenigen optischen Eigenschaften der verwendeten Standard- und alternativen Substratmaterialien systematisch zu untersuchen, die noch nicht hinreichend genau bekannt sind, und 3. dazu erstmalig die Methode der Verallgemeinerten Spektral-Ellipsometrie auf Untersuchungen anisotroper Medien im mittleren Infrarotbereich zu übertragen.

• DFG Programme: Priority Programmes
• Subproject of: SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
• Participating Person: Professor Dr. Mathias Schubert