Einzelelektronentunneln durch InAs-Quantenpunkte

• Antragsteller: Professor Dr. Rolf J. Haug
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2007
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5180674

Auf Grund der Gitterfehlanpassung wachsen unter bestimmten Bedingungen (Stranski-Krastanov-Wachstum) auf Galliumarsenid- bzw. Aluminiumarsenid-Schichten Quantenpunkte aus Indiumarsenid. Im Rahmen des Projekts sollen derartige Quantenpunkte mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) in resonante Tunnelstrukturen eingebaut werden. Dabei soll zum einen der Wachstumsprozeß von selbstordnenden InAs-Quantenpunkten auf AlAs untersucht werden und zum anderen soll der elektronische Transportprozeß durch diese Qauntenpunkte in den Tunneldioden, d.h. das Tunneln einzelner Elektronen durch die Quantenpunkte, Gegenstand eingehender Untersuchungen sein. Insbesondere soll durch Messung der Temperatur- und Magnetfeldabhängigkeit der I-V Kennlinien der Transportprozeß physikalisch identifiziert und interpretiert werden. Neben einfachen Schichten mit InAs-Quantenpunkten sollen auch Mehrfachschichten - gestapelte Quantenpunkte - hergestellt werden, um experimentellen Zugang zu Kopplungseffekten zwischen Quantenpunkten zu erhalten.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Großgeräte: Tieftemperatur Spitzenmeßplatz
• Gerätegruppe: 6440 Meßgeräte für elektrische Leistung, Phasenwinkel und andere spezielle elektrische Meßgrößen