Elektrische Dotierung und Kompensationseffekte im Zusammenhang mit der Präparation leitfähiger ZnSe-Homoepitaxiesubstrate für MBE

• Antragsteller: Professor Dr. Dietmar Siche
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2000
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5182768

Die Zielsetzung der Arbeit besteht in einem verbesserten Verständnis grundsätzlicher physikalischer Probleme und technologischer Grenzen der bipolaren (Gleichgewichts-) Dotierung breitlückiger II-VI-Verbindungen. Im Rahmen der vorangegangenen DFG-Projekte konnte bereits gezeigt werden, daß mit den gasphasengezüchteten ZnSe:I-Kristallen eine hervorragende Modellsubstanz zur Untersuchung der für diese Verbindungen typischen Selbstkompensationseffekte zur Verfügung steht. Im Vordergrund der Arbeit sollen weiterführende Experimente zur Thermodynamik und Kinetik von Eigenpunktdefekten und der Einbauspezifik von Dotanden (insbesondere Jod) stehen. Dazu sollen neben Equilibrierungsexperimenten in der Gasphase mit (in situ) Hochtemperatur-Halleffekt-Messungen, Diffusionsexperimenten und Paramagnetischer Elektronen-Resonanzspektroskopie auch Züchtungen speziell dotierter Kristalle zur Untersuchung möglicher n- und p-Dotanden sowie die gezielte Beeinflussung der elektrischen Kompensation der jeweiligen Dotierung erfolgen. Eine verallgemeinerbare auf eindeutigen experimentellen Tatsachen beruhende Modellbildung der zugrundeliegenden Prozesse wäre ein wesentlicher Fortschritt auf dem Gebiet der Forschung an dieser Materialklasse.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen