Erzeugung von haftfesten l-BN/c-BN-Schichtsystemen durch ionengestützte Laserpulsablation

• Antragsteller: Professor Dr. Günter Reiße (†)
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2006
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5214740

l-BN/c-BN-Schichtsysteme sollen mit dem Ziel untersucht und optimiert werden, haftfeste phasenreine c-BN-Schichten mit möglichst hohen Aufwachsraten und Schichtdicken im µm-Bereich abzuscheiden. Hierfür ist die Untersuchung des l-BN-Schicht/Substratverbundes, die Optimierung der l-BN-Schichten und insbesondere die Optimierung des c-BN-Nukleationsprozesses auf den l-BN-Zwischenschichten ohne Ausbildung der mechanisch weniger stabilen h-BN-Nukleationsschicht erforderlich. Durch die Abscheidung von l-BN-Gradientenschichten mit abnehmendem Brechungsindex bis zur Nukleation der c-BN-Phase soll ein optimaler Substrat/l-BN- und l-BN/c-BN-Verbund erreicht werden. Weiterhin soll erkundet werden, welche c-BN/h-BN-Gitteranpassung ([111]- oder [001]-c-BN parallel zu [0002]-h-BN) unter welchen Abscheidebedingungen bevorzugt auftritt und bis zu welchem maximalen Aufwachsraten phasenreines c-BN abgeschieden werden kann. Ausgehend von den Abscheideparametern und den erzielten experimentellen Ergebnissen sollen Beiträge zur Entwicklung eines Nukleations- und Wachstumsmodells für die c-BN-Phase geleistet werden. Es wird vorgeschlagen, die haftfesten l-BNSchichten als Zwischenschichten für die c-BN-Abscheidung mit Hilfe anderer Beschichtungsverfahren einzusetzen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen