Untersuchung von Verspannung und Piezoelektrizität in GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen

• Applicant: Professor Dr. Ferdinand Scholz
• Subject Area: Condensed Matter Physics
• Term: from 2000 to 2001
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5235988

In GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen werden spektroskopisch im allgemeinen deutliche Hinweise auf LadungsträgerLokalisierungen beobachtet, deren Entstehung aufgrund von Kompositions- und daraus resultierenden Potentialfluktuationen einerseits und aufgrund von großen inneren peizoelektrischen Feldern als Folge großer Gitterfehlanpassungsverspannungen andererseits erklärt werden. Beide Effekte lassen sich bei konventionellen Herstellungsbedingungen kaum voneinander trennen. Das vorliegende Projekt setzt sich zum Ziel, deren Einfluß getrennt zu untersuchen. Hierzu sollen verspannte Hetero- und Quantenfilmstrukturen ohne innere elektrische Felder epitaktisch hergestellt werden durch Wachstum in Kristallrichtungen, in denen keine Piezoelektrizität entsteht. Diese Studien sollen auch Aussagen über den Einfluß dieser Faktoren auf BauelementAnwendungen erlauben.

• DFG Programme: Priority Programmes
• Subproject of: SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen