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Mikromechanische und elektronische Diamantanwendungen: Untersuchung der elektrochemischen Aktivität und Stabilität von CVD-Diamantschichten

Fachliche Zuordnung Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2000 bis 2005
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5236132
 
Diamant ist ein Halbleiter mit großem Bandabstand. Aus diesem Grund zeigt Diamant ein großes offenes Potentialfenster in wäßrigen Elektrolyten. Polykristalline Diamantschichten können mittels CVD-Verfahren auf Silizium hergestellt werden. Ferner ist prinzipiell auch eine Abscheidung auf metallischen Substraten möglich.Durch Dotierung mit Bor können hohe elektrische Leitfähigkeiten in Diamantschichten erzeugt werden. Dotierte Diamantschichten können somit als Elektrodensubstrate für eine Vielzahl von elektrochemischen Prozessen dienen.Im Rahmen des Vorhabens wird das elektrochemische Verhalten dotierter Diamantschichten untersucht. Basierend auf grundlegenden Untersuchungen des Korrosionsverhaltens solcher Schichten in Abhängigkeit von Dotierungsart und -menge in verschiedenen Elektrolyten werden Modellelektroden hinsichtlicher ihrer Aktivität und Stabilität unter anwendungsnahen Bedingungen für technische Elektrolysen untersucht.Infolge des weiten Potentialfensters sind Diamantschichten prinzipiell auch für die Anwendung in Doppelschichtkondensatoren interessant. Im Rahmen des Vorhabens werden deshalb die kapazitiven Eigenschaften solcher Schichten in Abhängigkeit der Dotierungsart und -menge untersucht. Durch besondere Wachstumsbedingungen können Schichten mit hoher Oberflächenrauhigkeit erzeugt werden, die unter Umständen einen Einsatz als Superkondensatoren erlauben.
DFG-Verfahren Sachbeihilfen
 
 

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