Spektroskopie an GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen sowie Untersuchungen zur optischen Verstärkung und optisch gepumpten Halbleiterlasern mit Lamda ungefähr 1.3 Mikrometer

• Applicant: Privatdozent Dr. Michael Hetterich
• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 2000 to 2007
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5266908

Im Rahmen des Projektes sollen zunächst die elektronischen Zustände in GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen eingehend untersucht werden, um Informationen über die bisher nur unzulänglich bekannten Materialparameter dieses Systems (effektive Elektronenmasse von GaInNAs, Bandanordnung usw.) zu gewinnen. Dazu werden eine Reihe von spektroskopischen Methoden verwendet, insbesondere Tieftemperatur-Photolumineszenz und -Photolumineszenzanregung. Wichtig ist dabei u.a. der Einfluß von Stickstoff auf die Leitungsbandstruktur. Mittels Fourier-Spektroskopie sollen deshalb auch elektronische Intersubband-Übergänge untersucht werden. Darüber hinaus ist der Aufbau eines Meßplatzes für elektrisch und optisch modulierte Reflexionsspektroskopie geplant, der die Messung elektronischer Übergangsenergien auch noch bei Raumtemperatur, d.h. unter technisch relevanten Bedingungen, erlaubt. Hochanregungsexperimente sollen im nächsten Schritt Aussagen über die Größe, spektrale Verteilung und Temperaturabhängigkeit der optischen Verstärkung (T0) liefern. Im letzten Projektabschnitt werden die gewonnenen Ergebnisse auf die Untersuchung optisch gepumpter Halbleiterlaser angewandt.

• DFG Programme: Independent Junior Research Groups