Project Details
Projekt
Bauelementeverhalten und Transporteigenschaften organischer Feldeffekt-Transistoren: Experiment-Simulation-Theorie
Applicant
Professor Dr. Gernot Paasch
Subject Area
Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Term
from 2001 to 2008
Project identifier
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5302114
Trotz großer Fortschritte bei der Präparation von organischen Feldeffekttransistoren besteht hinsichtlich der Beschreibung des elektronischen Verhaltens auf der Grundlage des Transportverhaltens ein erheblicher Erkenntnisbedarf. Durch die Kombination von Präparation, experimenteller Charakterisierung, Simulation und Modellierung, beruhend auf Beiträgen zur Transporttheorie soll ein konsistentes und quantitatives Verständnis des Bauelementeverhaltens erreicht werden. Durch Kombination der in einem breiten Parameterbereich durchzuführenden Messungen an MOS-Transistoren und -Kondensatoren mit verschiedenen aktiven und Oxidmaterialien werden das Bauelementeverhalten ermittelt und Ausgangsinformationen für die Simulationen gewonnen. Durch Vergleich experimenteller Daten mit Simulationen werden unterschiedliche Modellvorstellungen untersucht. Theoretische Beiträge vertiefen den Zusammenhang Beweglichkeit-Leitfähigkeit, Drift-Diffusion und Einsteinbeziehung bei Hoppingleitung.
DFG Programme
Priority Programmes
