Röntgenstreuungsuntersuchungen an organisch-anorganischen Grenzflächen

• Antragsteller: Professor Dr. Frank Schreiber
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2001 bis 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5304886

Die strukturellen Eigenschaften organischer Schichten und organisch-anorganischer Grenzflächen, welche für die Funktion organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET) von großer Bedeutung sind, sollen mittels Röntgenstreuung und komplementärer Methoden (Neutronenstreuung, Rasterkraftmikrospie (AFM) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht werden. Das Wachstum der Schichten soll mit zeitaufgelöster Streuung in situ beobachtet werden. Die Epitaxie und die schichtdickenabhängigen elastischen Spannungen sollen mit hoher Auflösung mittels Röntgenbeugung bei streifendem Einfall (unter Einsatz von Synchrotronstrahlung) untersucht werden. Die für die technische Nutzung wichtigen thermischen Eigenschaften einschließlich der stark anisotropen thermischen Ausdehnung und der möglichen Interdiffusion von Metallkontakten in die organische Schicht sollen in der Kombination von Röntgenreflektivität und TEM untersucht werden. Dabei soll eine detaillierte Charakterisierung des Wachstums und der Struktur das Verständnis dieser Materialien verbessern und letztlich zu einer erhöhten Effizienz und thermischen Belastbarkeit der Bauelemente führen.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1121: Organische Feldeffekt-Transistoren: strukturelle und dynamische Eigenschaften