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Projekt
Charakterisierung der Kanalstromdispersion in GaN-HFETs im Zeit-, Frequenz- und Temperaturbereich sowie Einfluß der Oberflächenpassivierung. Korrelation mit der Piezo-Dipolladung des verspannten Heterostruktursystems
Antragsteller
Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
Fachliche Zuordnung
Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung von 2001 bis 2004
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5308374
In HFET-Strukturen auf GaN-Basis ist neben der Materialqualität und Wahl des Substrates die Dispersion des Kanalstromes im Großsignalbetrieb derzeit eine der 2 leistungsbegrenzenden Größen. In diesem Vorhaben sollen die ersten Untersuchungen bezüglich dieses Dispersionseffektes fortgeführt werden. Derzeit sieht es so aus, als ob die Dispersion durch die Peizo-Dipolladung an der Oberfläche der AlGaN/GaN Heterostruktur hervorgerufen wird, und die Dispersionseigenschaften durch eine lose gekoppeltes virtuelles 2 Gate in der Gate-Drain-Strecke beschrieben werden kann. Diese von uns vorgeschlagene Modellvorstellung soll weitergeführt werden. Die Dispersionseigenschaften sind stark mit der Passivierung verkoppelt. Daher soll weiterhin die Passivierung mit Si3N4 untersucht werden. Ziel ist die Offenlegung der physikalischen Ursachen und die Entwicklung stabiler Eigenschaften.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
