Entwicklung, Implementierung und Verifizierung von Rekombinationsmodellen für Silizium-Halbleiterbauelemente mittlerer und hoher Leistung

• Antragstellerin: Professorin Dr.-Ing. Dagmar Schipanski (†)
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5377377

Innerhalb des zur Zeit laufenden Projektes wurde ein erweitertes Rekombinationsmodell zur Beschreibung der infolge einer Lebensdauereinstellung veränderten Bauelementeeigenschaften erarbeitet und implementiert. Die Bestimmung der erforderlichen Rekombinationsparameter ist jedoch aufwendig. Das Ziel dieses Vorhabens besteht in der Erarbeitung leicht realisierbarer Meßverfahren zur Ermittlung der benötigten Daten. Hierfür sollen bekannte Meßverfahren für ihre Eignung geprüft und entsprechend angepaßt sowie geeignete neue Verfahren eingesetzt werden. Desweiteren soll die Temperaturabhängigkeit der betrachteten Zentrenparameter untersucht werden, deren Kenntnis derzeit nicht befriedigend ist und zu falschen Simulationsergebnissen führt. Dabei ist der Arbeitstemperaturbereich von Leistungsbauelementen von 125-175°C zu betrachten. Darüber hinaus werden das Zusammenwirken des Systems IGBT-Freilaufdiode unter Berücksichtigung der unterschiedlichen Konzepte für die Gestaltung von Freilaufdioden untersucht sowie optimiert und Aussagen über Anwendungsfelder getroffen.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1038: Halbleiterbauelemente hoher Leistung