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Rekombinations- und Transportmechanismen in Bufferschichten sowie Beweglichkeiten in Ladungsträgerplasmen

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 1997 bis 2005
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5377449
 
Aus Untersuchungen zu Trägerlebensdauern werden Tendenzen für Scharfetter-Relationen hergeleitet. Aus den vorhandenen Ergebnissen zur Minoritätsträger-Diffusionskonstanten und diesen Ergebnissen werden die Konsequenzen zur Funktion von BufferSchichten durch Simulation ermittelt. Durch Untersuchungen an optisch hoch angeregten vertikalen Strukturen vom n--n+-p-Typ wird die ambipolare Diffusionskonstante aus Phasenmessungen bestimmt. Die Beweglichkeit von Ladungsträgern im ElektronLoch-Plasma wird aus Testelementen auf Silicon-on-Insulator Material bestimmt. Ziel ist, eine genauere Bestimmung der ambipolaren Diffusionskonstanten und, wenn möglich, der Parameter in Matrix-Transportgleichungen bei unterschiedlichen Temperaturen.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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