Molekulardynamische Untersuchungen zur ionenstrahlinduzierten Kristallisation und Amorphisierung in Silizium

• Antragsteller: Privatdozent Dr. Konrad Gärtner
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2001
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5378993

Ausgangspunkt für das Vorhaben ist die im laufenden Projekt gewonnene Erkenntnis, daß der Bindungsdefekt für das Verständnis der Struktur des amorph/kristallinen Interface und der Kristallisierungsprozesse am Interface eine zentrale Rolle spielt. Das Ziel dieses Vorhabens ist es, die atomistischen Prozesse sowohl bei der ionenstrahlinduzierten als auch bei der thermisch stimulierten Kristallisierung unter Berücksichtigung der grundlegenden Rolle des Bindungsdefektes mit Hilfe der klassischen Molekulardynamik weitergehend zu untersuchen. Dabei soll auch die Rolle von Punktdefekten bei der Kristallisierung und speziell auch bei der Erzeugung von Bindungsdefekten studiert werden. Mit den gewonnenen Ergebnissen soll ein weiterer Beitrag zur Modellierung der atomistischen Prozesse bei der ionenstrahlinduzierten und thermisch stimulierten Kristallisation erbracht werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen