Project Details
Projekt
Mikro- und nanostrukturierte organische Feldeffekt-Transistoren: Skalierungsverhalten und Grenzflächeneigenschaften
Applicant
Professor Dr. Veit Wagner
Subject Area
Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Term
from 2003 to 2011
Project identifier
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5404086
Die Miniaturisierung von organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs) ermöglicht eine Erhöhung der Packungsdichte, sowie der Schaltfrequenz und der Ladungsträgerbeweglichkeit, letzteres aufgrund der Verringerung/Vermeidung von Korngrenzen in der aktiven organischen Schicht. Die Reduzierung der Kanallänge wird allerdings durch Kurzkanal-Skalierungseffekte begrenzt, welche die Kennlinien verformen, bis hin zur Unbrauchbarkeit. Um möglichst kleine, funktionstüchtige OFETs zu ermöglichen sollen in diesem Projekt die Haupteinflußgrößen (Kanallänge, Isolatordicke, Isolator-Organik-Grenzfläche, Metall-OrganikKontakt, Kanaltiefenprofil, Dotierung) systematisch untersucht werden. So sollen prinzipielle Grenzen ausgelotet und Benchmark-Ergebnisse für andere Arbeitsgruppen bereitgestellt werden. FETs mit Kanallängen bis unter 100nm werden auf kommerziellen SiO2/n-Si Wafern mittels Elektronenstrahl-Lithographie und anschließender Beschichtung mit organischen Molekülen im Ultrahochvakuum hergestellt. Die elektrischen Kennlinien (I/V) können hierbei u.a. direkt in situ aufgenommen werden. Parallel werden die besonders kritischen Kontakte und Grenzflächen bzgl. Struktur und elektrisches Verhalten optisch mittels Raman- und Modulationsspektroskopie untersucht, sowohl an FETs als auch an kristallinen Modellsystemen.
DFG Programme
Priority Programmes
