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Herstellung halbleitender Si-Verbindungen mittels strukturierender Hochdosis-Ionen-Implantation

Fachliche Zuordnung Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2003 bis 2006
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5413987
 
Keine Zusammenfassung vorhanden
DFG-Verfahren Sachbeihilfen
 
 

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