Organische Feldeffekt-Transistoren für spinpolarisierten Transport

• Applicant: Professor Dr. Jean Geurts
• Subject Area: Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
• Term: from 2005 to 2007
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5450349

Das Ziel des beantragten Projekts ist die Herstellung und Analyse organischer Feldeffekttransistoren (OFETS) für spinpolarisierten Transport. Hiermit soll das Spintronics-Konzept, das in anorganischen Halbleitersystemen bereits sehr intensiv verfolgt wird, auf organische Materialsysteme übertragen werden. Organische Halbleiter bieten für den Transport spinpolarisierter Ladungsträger einen entscheidenden Vorteil: Sie besitzen extrem lange Spin-Relaxationszeiten, bis zu 1 ¿s bei 300K, weil aufgrund der extrem leichten Elemente die Spin-Bahn-Kopplung und die Hyperfeinwechselwirkung vernachlässigbar klein sind. Die Spinpolarisation der Ladungsträger in den OFETs soll durch den Einsatz ferromagnetischer Materialien als Source- und Drainkontakt erzielt werden. Hierzu werden Co-Kontakte verwendet mit einer Al2O3 Tunnelbarriere zur Impedanzanpassung. Der aktive Kanal wird von einem ¿ -konjugierten organischen Halbleiter gebildet, in unserem Fall Dihexylquaterthiophen (DH4T). Unter Ausnutzung der bei den Antragstellern vorhandenen breiten Erfahrungen sowohl bzgl. der Herstellung von Mikro- und Nano-OFETs als auch bzgl. der Spininjektion in Halbleitern sollen die strukturellen, elektronischen und magnetischen Eigenschaften der Grenzfläche zwischen der Organikschicht und dem ferromagnetischen Kontaktmaterial, sowie auch das spinpolarisierte Transportverhalten der OFETs analysiert werden.

• DFG Programme: Priority Programmes
• Subproject of: SPP 1121: Organic Field Effect Transistors: Structural and Dynamical Properties
• Participating Person: Professor Dr. Laurens W. Molenkamp