Tieftemperatur XSTM an GaAsN

• Antragsteller: Professor Dr. Holger Eisele
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2007 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 58283641

• Erstellungsjahr: 2009

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Im Rahmen dieses Projektes konnte ausführlich der Bau und Betrieb eines Rastertunnelmikroskops zur Analyse von Querschnittsflächen bei tiefen Temperaturen erlemt werden. Hierbei vvurde insbesondere die mechanische Stabilität der X-Translationseinheit studiert und wesentliche Aspekte zu deren Verbesserung erkarmt. Mithilfe dieser Kenntnisse ist nun auch ein vergleichsweise kostengünstiger Eigenbau eines solchen komplexen wissenschaftlichen Gerätes möglich geworden. Daneben konnten viele Aspekte der stickstoffhaltigen III-V-Halbleiter mit erfahrenen Wissenschaftlem diskutiert werden.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• Nitrogen-induced intermixing of InÄsN quantum dots with the GaAs matrix, L. Ivanova, H. Eisele, A. Lenz, R. Timm, M. Dähne, O. Schumann, L. Geelhaar, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 92 203101 (2008)