Nanopartikulärer Feldeffekttransistor (C08)

• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2008 bis 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5483024

Ziel dieses Teilprojektes ist die Herstellung eines Feldeffekttransistors aus nanopartikulären Halbleitern, die direkt aus der Gasphase abgeschiedenen werden. Durch Co-Abscheidung einer geringen Anzahl an metallischen Partikeln soll darüber hinaus die Steilheit der Übertragungskennlinie gesteigert werden. Nanopartikuläre Transistoren sind für die Anwendung in der Druckbaren Elektronik von Interesse. Durch die in diesem Projekt vorgesehene Abscheidung aus der Gasphase wird ein Modellsystem geschaffen, an dem der Einfluss der Partikelgröße und Schichtdicke auf die Transistoreigenschaften studiert werden kann, ohne störende Einflüsse weiterer Verunreinigungen, wie sie bei den üblichen Abscheideverfahren aus Lösungen auftreten.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 445: Nano-Partikel aus der Gasphase: Entstehung, Struktur, Eigenschaften
• Großgeräte: Profilometer
• Antragstellende Institution: Universität Duisburg-Essen
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Roland Schmechel