Experimentelle und theoretische Untersuchung der Wirkungsweise von Silizium-Nanodraht-MOSFETs
Final Report Abstract
Im Rahmen des Forschungsvorhabens wurde eine Prozesstechnologie zur Herstellung Si-Nanodraht-MOSFETs mit minimalen lateralen Abmessungen von 3 nm etabliert. Der Einfluss der Skalierung auf die wichtige Kenngröße der Mobilität wurde eingehend für laterale Abmessungen bis hinunter zu 0,9 nm untersucht. Ebenso konnten Quantisierungseffekte in Si-Nanodrähten in optischen und elektrischen Messungen beobachtet werden. All diese Bereiche wurden erfolgreich durch theoretische Untersuchungen unterstützt. Durch diese enge Vernetzung von theoretischen und experimentell-technischen Arbeiten konnten wesentliche Erkenntnisse in Bezug auf das Skalierungspotential und den Ladungsträgertransport gewonnen werden. Diese Erkenntnisse lieferten einen wichtigen Beitrag zu einem fundierten Verständnis Nanodraht-basierter Bauelemente und stellen die Grundlage für ihre technische Nutzung in komplexen elektronischen Schaltungen dar.
Publications
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