Mikroskopische Beschreibung von Halbleiterhetero- und nanostrukturen
Final Report Abstract
Im Rahmen meines Heisenbergstipendiums wurden auf der materialwissenschaftlichen Seite vor allem die Wismide betrachtet, für die eine Vorhersage der optischen Verstärkung von Halbleiterheterostrukturen erstellt wurde. Demnach ergibt sich für typische Bandstrukturparameter eine etwa halb so große Verstärkung wie beispielsweise in (InGa)As. Jedoch ist das System dennoch hochinteressant, da sich insbesondere bei zusätzlicher Zugabe von Stickstoff die Perspektive einer quasi unabhängigen Variation von Leitungs- und Valenzband ergibt. Es ist deshalb eine weitere intensive Bearbeitung des Materialsystems auf internationaler Ebene geplant. Des weiteren wurden Nichtgleichgewichtseffekte in Halbleiterscheibenlasern betrachtet, insbesondere die Auswirkungen einer Antireflexionsbeschichtung sowie die Frage nach der optimalen Pumpwellenlänge. Wichtige Punkte wie beispielsweise die noch fehlende Berücksichtigung der Gittererwärmung wurden bisher nicht betrachtet. Wesentliche Themen, insbesondere die detaillierte Betrachtung der phononischen Wechselwirkung in Nitriden, muß zukünftigen Projekten überlassen bleiben.
Publications
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Microscopic theory of the optical properties of Ga(AsBi)/GaAs quantum wells, Semicond. Sci. Technol. 23, 125009 (2008)
S. Imhof, C. Bückers, A. Thränhardt, J. Hader, J. V. Moloney, S. W. Koch
