Project Details
Universität Ulm
Fakultät Ingenieurwissenschaften, Informatik und Psychologie
Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen
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Entwicklung einer ISFET-Grundstruktur für Anwendung in aggressiver und hochkorrosiver Umgebung unter hohen Überpotentialen (anodisch und kathodisch) bestehend aus einer InAIN/GaN HEMT-Kanalstruktur und Optimierung der Elektrodeneigenschaften durch Modifikation des Dotierungsprofils und Funktionalisation der Oberfläche(Applicant Kohn, Erhard )
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