Epitaktisches Wachstum von LEDs und Laserdioden der Gruppe III-Nitride mittels MOVPE und MBE

• Antragsteller: Professor Dr. Detlef Hommel
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5172124

Mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie sollen lichtemittierende Strukturen auf der Basis von GaN, InGaN und AlGaN hergestellt und umfassend physikalisch untersucht werden. Durch die Korrelation von Wachstumsparametern mit den elektrischen, strukturellen und optischen Eigenschaften der Schichten sollen Wachstumsprozesse besser verstanden und für eine Optimierung der Betriebsparameter der Bauelemente ausgenutzt werden. Dabei geht es zunächst um die Herstellung von Leuchtdioden, um im Anschluß Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge im Bereich 400 bis 420 nm herstellen zu können. Durch Vergleiche des Wachstums von MOVPE und Molekularstrahlepitaxie sollen Erkenntnisse zum Einfluß der Polarität und damit der piezoelektrischen Felder in Quantentrogstrukturen auf die Funktion der Bauelemente gewonnen werden. Für eine erfolgreiche Realisierung der Laserdioden ist eine sorgfältige Optimierung des p-seitigen Kontaktes erforderlich. Hierfür sollen auch die Vorteile der MBE wie eine effektive p-Dotierung ohne nachträgliche Ladungsträgeraktivierung gezielt genutzt werden.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
• Großgeräte: Plasmaätzanlage
• Gerätegruppe: 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
• Beteiligte Person: Dr. Sven Einfeldt