Anisotropie der optischen und elektronischen Eigenschaften von epitaktischen Siloxenschichten auf Silicium

• Antragsteller: Professor Dr. Martin S. Brandt
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1995 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5236658

Nachdem in den vergangenen Förderperioden die Entwicklung dünner epitaktischer CaSi2- und Siloxenfilme auf Siliciumsubstraten und die Charakterisierung der vibronischen Eigenschaften des Schichtpolymers Siloxen im Vordergrund standen, sollen nun spezifische Fragen bezüglich der optischen und elektronischen Eigenschaften bearbeitet werden. Dazu zählen die Charakterisierung der Anisotropie des Brechungsindex sowie der Versuch, stimulierte Emission zu erzeugen. Die Art der Bindung zwischen benachbarten Siloxenebenen soll sowohl experimentell wie theoretisch untersucht werden. Schließlich sollen ausgehend von epitaktischen Siloxenschichten auf Si-Substraten Leuchtdioden mit verbesserter Effizienz hergestellt werden.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 472: Spezifische Phänomene in der Silicium-Chemie
• Beteiligte Person: Professor Dr. Martin Stutzmann