Halbleiterlaser hoher Brillanz (C 05)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2008 bis 2011
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 43659573

Das Ziel dieses Teilprojektes ist es, die physikalisch-technologischen Grundlagen für die Realisierung hochbrillanter und longitudinal monomodiger Diodenlaser, die sich durch eine für Halbleiterlaser extrem geringe Divergenz (< 7°) und neuartige Formen der Wellenlängenstabilisierung auszeichnen, beispielhaft im strategisch wichtigen Wellenlängenbereich 800 nm - 1100 nm zu schaffen. Hauptgegenstand ist dabei die Untersuchung von Wellenleiterstrukturen, die auf photonischen Kristallen beruhen und deren Einbindung in Kavitäten unter Nutzung von Mehrfachquantengräben und -quantenpunktstrukturen für die aktiven Schichten.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 787: Halbleiter - Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente
• Antragstellende Institution: Technische Universität Berlin
• Mitantragstellende Institution: Ferdinand-Braun-Institut gGmbH; Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Dieter Bimberg; Dr. Götz Erbert