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Person

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Professor Dr. Mario Dähne

Adresse Technische Universität Berlin
Institut für Festkörperphysik
Hardenbergstraße 36
10623 Berlin

Projekte

Als Antragsteller
- laufende Projekte
  - Atomic structure and electronic properties of silicide nanowires (Forschungsgruppen)
  - Seltenerd-modifizierte Siliziumoberflächen als Substrat für organische Schichten (Sachbeihilfen)
- abgeschlossene Projekte
  - Räumliche und elektronische Struktur von Siliziddrähten auf Si(001) (Sachbeihilfen)
  - Dünne III-V-Halbleiterschichten auf GaAs(001)-Vizinalflächen (Sachbeihilfen)
  - Nanodrähte und Dünnschichten mit niederdimensionalen elektronischen Eigenschaften (Sachbeihilfen)
  - Atomare Struktur und elektronische Eigenschaften von GaSb-Nanostrukturen (Sachbeihilfen)
  - Wachstum und Überwachsen von InAs-Quantenpunkten (Sachbeihilfen)
  - Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie an unpolaren GaN-Oberflächen (Sachbeihilfen)
  - Atomare und elektronische Struktur von Clustern auf Siliziumoberflächen (Forschungsgruppen)
  - III-V Halbleiter Nanodrähte: Korrelation von lokaler elektronischer Struktur, Leitfähigkeit und Ladungsträger Lebensdauer (Sachbeihilfen)
  - Grundlegende Eigenschaften nicht-polarer Oberflächen von ternären Gruppe-III-Nitrid-Verbindungshalbleitern (Sachbeihilfen)
Als Teilprojektleiter
- abgeschlossene Projekte
  - Atomare Strukrut von Quantenpunkten (Sonderforschungsbereiche)
  - Atomare Struktur und lokale elektronische Eigenschaften von Nanomaterialien (Sonderforschungsbereiche)
Als Beteiligte Person
- abgeschlossene Projekte
  - Tieftemperatur XSTM an GaAsN (Sachbeihilfen)

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