Dünne III-V-Halbleiterschichten auf GaAs(001)-Vizinalflächen

• Antragsteller: Professor Dr. Mario Dähne
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2003 bis 2006
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5401941

Das Projekt befasst sich mit epitaktischen Halbleiterschichten auf GaAs(001)-Vizinalflächen, also auf Oberflächen mit einer hohen Stufendichte. Bei solchen Schichten sind - im Vergleich zum Wachstum auf dem planaren Substrat - veränderte elektronische und optische Eigenschaften beobachtet worden. Über die detaillierte Struktur solcher Schichtsysteme auf atomarer Skala ist jedoch bislang wenig bekannt. Besonders geeignet für solche Untersuchungen ist die Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen. In diesem Projekt soll XSTM eingesetzt werden, um die atomare Struktur und die lokalen elektronischen Eigenschaften von heteroepitaktisch gewachsenen Schichten und ihren Grenzflächen zu untersuchen. Im Vordergrund stehen Fragen der Homogenität und der lokalen Stöchiometrie der Schichten, der lateralen und vertikalen Segregation sowie der Facettierung der Grenzflächen. Hierbei ist der Einfluss der Substratfehlorientierung von besonderem Interesse.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen