ALD Anlage

• Fachliche Zuordnung: Molekülchemie
• Förderung: Förderung in 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 159808239

„Atomare Schichtabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) wird als eine der Abscheidungsmethoden angesehen, die das beste Potential zur Herstellung von sehr dünnen, winkelgetreuen Schichten bietet und dies mit einer guten Kontrolle der Schichtdicke als auch mit einer Abscheidung im atomaren Bereich verbindet. Wir werden unser bisheriges Wissen des Precursordesigns für klassische CVD-Verfahren auf das ALD-Verfahren übertragen. Da die meisten CVD-Precursoren nicht für den ALD-Einsatz geeignet sind, müssen die Precursoren in ihrem molekularen Aufbau (durch Ligandenaustausch und -modifikation) entsprechend angepasst werden. Wir werden die Wachstumsmechanismen dieser neuen Precursoren im ALD-Prozess untersuchen, wobei die so entstehenden Metalloxide und -nitride Schlüsselmaterialien für zukünftige integrierte Schaltungen sein werden. Der ALD Prozess kann nicht nur zur Herstellung dünner Schichten, sondern auch zur Änderung der Oberflächeneigenschaften durch Funktionalisierung herangezogen werden. Zur Zeit haben viele Gruppen (u.a. AK Prof. Meerholz, AK Prof. Ruschewitz, AK Prof. Schaniel) ein großes Interesse am ALD-Verfahren, da diese Abscheidungsmethode neue Aspekte und Komponenten in die laufenden nationalen sowie internationalen Forschungsprojekte mit einbringen kann.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 0920 Atom- und Molekularstrahl-Apparaturen
• Antragstellende Institution: Universität zu Köln
• Leiter: Professor Dr. Sanjay Mathur