Hochvolttransistoren mit STI in einem 250 Nanometer CMOS-Prozess

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Chihao Xu
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2006 bis 2011
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 16277418

Diese Arbeit widmet sich der Entwicklung von Hochvolttransistoren als substanzielle Erweiterung von einem Standard CMOS-Prozess im 0,25 um Bereich. Sie zielt auf Kreierung neuartiger HV NMOS und HV PMOS Transistoren für System on a Chip Lösung auch für Leistungselektronik. Da alle bisherigen HV Transistoren LOGOS Isolation verwendet, die im modernen CMOS Prozess ab 0,25 um aber nicht mehr verfügbar ist, müssen neuartige De vice Strukturen mit STI (Shallow Trench Isolation) entwickelt. Neue HV De vice-Strukturen mit STI sind zu entwerfen. Die Device-Konzepte werden mit TCAD evaluiert und dimensioniert. Felder für Testtransistoren, deren Schlüsselparameter variiert werden, werden gelayoutet. Die Testchips werden elektrisch charakterisiert. Auch Zuverlässigkeitstests wie Hot Carrier und NBTI werden durchgeführt. Das Ziel ist neben Funktionsparametern auch der Nachweis einer ausreichenden Zuverlässigkeit. Es gilt auch aufzuzeigen, dass diese neuartigen HV Transistoren mit STI auf weitere Standard CMOS Technologie bis auf 130 nm zu übertragen ist. Mit dieser Arbeit wird so eine wichtige Grundlage geschaffen, dass die Nano-Technologie auch in die Leistungselektronik vorstößt.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen