Fremd- und Selbstdiffusion in Bezug auf das Kupfer-Untergitter in CIGSe-Dünnschichtsolarzellen
Mechanische Eigenschaften von metallischen Werkstoffen und ihre mikrostrukturellen Ursachen
Zusammenfassung der Projektergebnisse
Die im Rahmen dieses Vorhabens durchgeführten Arbeiten ermöglichten die Aufklärung der Diffusionsmechanismen relevanter Fremdelemente in CI(G)Se-Schichten, was somit eine solide Grundlage für Verbesserungen an entsprechenden Dünnschicht-Solarzellen bietet. Im zweiten Teil des Projektes wurden unter anderem folgende Teilziele erreicht: I. Grundlegende Charakterisierung des Diffusions- und Segregationsverhalten von Na sowie die Bestimmung der Diffusionskoeffizienten von Cd und Zn und die Identifizierung des Diffusionsmechanismus. II. Charakterisierung des Diffusionsverhaltens von Ag sowie die Bestimmung von Diffusionskoeffizienten. III. Die Zusammenhänge zwischen der anomalen Fremddiffusion von Na und Ag und der Defektstruktur in CI(G)Se wurden erforscht, mit dem Fokus auf der Rolle der Korngrenzen am Fremdatomtransport. IV. In einer Reihe von detaillierten Messungen wurde der Einfluss von Oberflächenrauheit und Grenzflächen bei der Radiotracermethode auf die Gestalt der Diffusionsprofile und auf den Wert des errechneten Diffusionskoeffizienten erforscht und dokumentiert. Die Diffusion von Ag in CI(G)Se wurde über das Temperaturinterval von 573 K bis 648 K mittels Radiotracer-Technik untersucht. Die erzielten Ergebnisse unterstützen die Dominanz der Volumendiffusion in diesem Temperaturintervall mit nur kleinen zusätzlichen Beiträgen des atomaren Transports von Ag-Atomen entlang von Korngrenzen. Obwohl die bestimmte Aktivierungsenergie der Ag-Diffusion in CIGSe vergleichbar mit der Aktivierungsenergie von Zn Volumendiffusion ist, ist die absolute Rate der Ag-Diffusion signifikanter schneller als die Diffusionsraten von Zn, Fe oder Cd. Wir haben gezeigt, dass die CIGSe/Mo Grenzfläche eine wirksame Barriere für die Diffusion der Ag-Atomen bietet, so dass sich eine ausgeprägte Anreichung von Ag Atomen an der Grenzfläche bildet und ein damit verbundener Fluss von der Grenzfläche zurück in die CIGSe-Schicht stattfindet.
Projektbezogene Publikationen (Auswahl)
- Impact of surface roughness on tracer depth profiling and its implications for 109Cd and 65Zn diffusion experiments in solar-grade Cu(In,Ga)Se2 layers. Appl. Surf. Sci. 307 (2014) 428-437
T. Eschen, K. Hiepko, J. Bastek, N.A. Stolwijk
(Siehe online unter https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.04.050) - Radiotracer diffusion of Ag in Cu(In,Ga)Se2 thin films Thin Solid Films, 633 (2017), 31-34
M. Wegner, F. Wilangowski, R. Wuerz, N.A. Stolwijk
(Siehe online unter https://doi.org/10.1016/j.tsf.2016.09.045)
